高通Snapdragon 820“快速前进”

Snapdragon 820将提高快速充电技术和支持更快的LTE连接。

高通公司已经发布了关于其即将推出的新的处理器Snapdragon 820的诸多细节，预计它将出现在2016年的旗舰级手机上，提高快速充电技术和支持更快的LTE连接。

整合X12 LTE modem的高通Snapdragon 820处理器，LTE Advanced速度下行Cat 12最高传输速率达600Mbps，上行Cat 13最高传输速率达150Mbps。随4K影音、虚拟实境、认知运算技术快速演进，为消费者提供速度和频宽，从而创造更强大的移动体验。

高通Snapdragon 820还有一个功能是未授权频谱上的突破性的连网支持，多千兆比特802.11ad。

64位处理器可以改善充电效率，毕竟如今移动设备快速发展的方向充电领域不可或缺，随着Galaxy Note 5和edge+无线充电的快速发展，这个领域也是三星近年来关注的重点，英特尔也一直致力于与即将推出的磁共振技术。

毫无疑问快速充电也是高通关注的重点，它推出的 Quick Charge 3.0将使得充电速度提升，35分钟即可从完全没电状态充电至80%，目前的Quick Charge 2.0对应不同的手机充电效率各不相同，例如去年的Galaxy Note 4用大约35分钟可充电50%。

Quick Charge3.0采用了一种新算法，可以精准算出移动设备所需电压从而优化过程，高通称，Quick Charge3.0与Quick Charge2.0相比功耗降低高达45%。

让我们一起期待未来的2016年Snapdragon 820出现在更多的高端设备上吧。

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