三星出绝招，10nm FinFET工艺的SRAM拯救你的手机

是不是手机卡得想扔掉它？别急，三星来帮你。

如今智能手机大行其道，大和薄已经成了最大的流行趋势，同时配置方面也在进一步提升。但是也出现了很多问题，首当其冲的就是APP越做越大，视频图片需更大的存储空间，缓存也是越来越多。不管原本手机配置有多高，内存有多大，时间一久就会越来越卡。我们只能不断地更换手机，购买更大配置的机型，才能满足我们日益增长的内存需要。

为了解决此类问题，各大科技公司也在积极进行相关产品的研发。其中比较受关注的就是SRAM（静态随机存取存储器）大多用于机器的缓存。目前有消息称，三星已经研发出了世界上第一颗基于10nmFinFET工艺的SRAM，若此举成功应用，将比之前14nm的面积减少30%左右。它可更进一步降低CPU的功耗、缓减散热问题，更小的体积装进更大的缓存，总体大步提升CPU性能。将手机做到更薄、更大、更好用，这才是王道！

其实市面上各家企业都有相关方面的科研成果，IBM半导体联盟在今年7月就已制造出了世界首个10nm的晶圆。但是由于技术问题，具体投入生产，应用到市场上至少需要等到2018年；Intel的10nm也推迟到了2017年，台积电也曾预测将在2017年第一季度向市场批量生产10nm CPU。而最早可以大规模使用的则是三星，预计最快在2016年底就可以上市，说不定就是Galaxy S8的首发技能。

急性子的你是不是早迫不及待地想扔了你那“老古董”？

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