砷化镓半导体量子芯片研究取得重要突破

中科院郭国平研究组首次在砷化镓半导体量子芯片中获得新型编码量子比特，它可以将电荷量子比特超快特性与自旋量子比特的长相干特性融为一体。

中科院量子信息重点实验室郭国平教授半导体量子芯片研究组及其合作者又破世界记录。

这次他们新的研究成果是将电荷量子比特超快特性与自旋量子比特的长相干特性融为一体，从而获得新型量子比特，新型量子比特既拥有自旋量子比特的长相干特性又具有很快的操控速度。近日关于该项重要研究的文章已经在《物理评论快报》发表。

不知道大家有没有关注过我国量子发展技术，现在我国研究团队在半导体量子点的制备和操控方面已经积累了大量的实验经验和技术，郭国平研究组作为我国重点实验室，在量子芯片等项目研究上已经取得了初步的成功。新型多电子轨道通用性极强，更可以为未来半导体中极性声子和量子压电效应对量子相干特性影响的研究提供新的思路方向。

不过新型量子比特速度上和相干性上的提升究竟有多少呢？简单一点来说，速度上它与电荷量子比特相似，操控速度快，但是在量子相干性方面，它比一般的电荷编码量子比特提高了将近 10 倍。

不能说这是一项进步，应该说这是一项创举，我国目前很多关于半导体量子点比特耦合问题的研究都已经站在了世界前列，这些离不开研究人员的坚持和努力。未来郭国平研究组表示，将结合现有的研究成果，继续推进量子芯片以及其他项目的研究，将大力发展中国量子芯片等技术。

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