毫米波能效再度加强，美加州大学研发出芯片发光器

芯片发光器的能效打破了现有纪录，比同类装置高出一个数量级，同时具有较强的抗干扰能力。

近日，美国加州大学欧文分校在其官方网站上发布公告称，该校的研究人员成功研制出一种硅基微芯片发光器，其发射的G波段（110千兆赫到300千兆赫）毫米波信号创强度纪录。值得注意的是，该技术预计将在5G无线通信领域展现关键应用。

据悉，G波段的频率光谱更易穿透人体等物体表面，这将有效提高医学和安检领域扫描和成像装置的分辨率。经实验室测试表明，芯片发光器的能效不仅打破了现有纪录，比同类装置高出一个数量级，同时还具有较强的抗干扰能力。

本周将举行的美国电气和电子工程师协会（IEEE）固态电路国际会议上，该校领导这项研究的电子工程和计算机科学教授帕亚姆·海德瑞，将会详细介绍这一最新研究成果。

通过查看相关资料，可以看出该硅基微芯片发光器在设计上有两个创新之处：

一是将三种重要功能集成到一个装置内，即收集多个放大器的能量、将信号调到预设频率、发出可用于检测或通讯的信号，舍弃了传统发光装置内低效级间系统，大大提高了能量输出强度；

二是发光器内半导体芯片被设计成八角形，特有的空腔结构使其能发出圆极性信号，以微型自旋风形式呈现，这种形状的光束能穿透固体并提供清晰度极高的详细内部图像。而现有大多数发光装置只能产生线性极性信号，容易造成偏振而使信号减弱。

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