李在镕：三星计划利用全球首个3纳米工艺制造芯片

三星计划在2021年实现3nm工艺量产。

据外媒报道，三星电子正在考虑用3nm工艺制造芯片，三星实际领导人李在镕在参观位于京畿道华城的半导体研发中心时，特地探讨了围绕3nm的半导体战略。

据了解，三星的半导体战略计划是采用正在研发中的最新3nm全栅极（GAA）工艺技术来制造尖端芯片，并提供给全球客户。GAA被认为是当前FinFET技术的升级版，能确保芯片制造商进一步缩小芯片体积。

围绕GAA，三星电子表示，3nm GAA技术的逻辑面积效率比5nm制造工艺提高35%，功耗降低50%，性能方面则提高约30%。

三星在10nm、7nm及5nm节点的进度都会比台积电要晚一些，导致台积电几乎包揽了目前的7nm芯片订单，三星只抢到IBM、NVIDIA及高通部分订单。不过三星已经把目标放在了未来的3nm工艺上，预计2021年量产，这个时间点要早于台积电。

据悉，台积电原计划于2023年量产3nm制程的处理器，但是根据台积电晶圆厂业务高级副总裁JK Wang的最新说法，这个时间节点已经提前一年，将于2022年可似乎3nm工艺的规模量产。规模量产，意味着台积电已经具备满足多家客户、不同产品上市需求的产能和良品率。从量产时间点来看，虽然三星在3nm工艺上要早于台积电一年，不过最后结果如何，目前依旧不能下定论。

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