台积电2nm芯片技术实现突破，预计2024年实现量产

台积电董事长刘德音也表示，计划扩建工厂提升2nm芯片的产能。

据最新报道，台积电在2nm芯片技术上取得了重大突破，虽然目前尚未透露具体细节。但有消息称，2nm工艺有望在2023年下半年进行风险性实验，并于2024年进入量产阶段。

台积电还表示，2nm的突破将再次拉大与竞争对手的差距，并继续推进1nm工艺的研发。

预计到时候苹果、高通、英伟达、AMD等客户有望率先采用其2nm工艺。

据悉台积电2nm将会采用多桥通道场效晶体管 (MBCFET)架构，这一架构有助于克服鳍式场效晶体管 (FinFET)架构因制程微缩产生电流控制漏电的物理极限问题。台积电在2nm制程上采用这一工艺架构，将有助于提高2nm的生产能力。

目前三星已经在5nm工艺的研发上投入了约4.8亿美元，3nm砷化镓场效应管的研发将大大超过5亿美元。虽然台积电很少披露具体工艺节点的投资数字，但我们可以想象。台积电此前曾表示，其2纳米技术的研发和生产将在保山和新竹进行，同时还进一步指出，它正计划拥有四个超大型晶圆厂，占地222英亩。

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