下一代HBM，SK海力士再赢一局

有大佬撑腰，海力士又稳了？

本周，韩国媒体The Elec的一份最新报告显示，三星下一款HBM产品已经准备就绪，按计划将在将于2025年底量产。

报告称，三星将在年底前进行HBM4的流片，按照流片与试产产品之间的时间间隔计算，新产品最早将会在2025 年初发布并进一步改进，直到将样品发送给主要客户。

在HBM3时代，因为缺少重视加之良率低等问题，三星的HBM产品迟迟未能进入英伟达供应链，这导致三星在AI芯片竞争中面临着越来越大的压力。

因此，开发落后的三星希望以资金为“武器”尝试逆袭，希望在HBM4这一代缩小差距。

但据今天爆出的最新消息，三星在存储领域的竞争对手SK海力士将与台积电、英伟达展开深度合作，这一合作计划预计将在9月的中国台湾国际半导体展（Semicon Taiwan）上正式宣布，届时SK海力士社长金柱善将发表专题演讲。

据悉，三方合作的目标是在2026年实现HBM4的量产，将采用台积电的12FFC+（12 纳米级）和 N5（5 纳米级）工艺技术制造HBM4的基础，从而实现更微小的互连间距，提高 HBM4 的性能和能效。

从时间节点来看，三星量产时间是要早于SK海力士，但后者作为目前 英伟达HBM内存的独家供应商，已经就具备先发优势，如今再与台积电强强联手，在良品率上也无需担忧。

按照计划，英伟达将在2026年推出下一代Rubin，2027年推出Rubin Ultra。

Rubin平台的亮点在于其集成了多项前沿技术。首先，它搭载了全新的GPU，其次，Rubin还整合了基于Arm架构的新CPU—Vera，这标志着英伟达在中央处理器领域的进一步拓展。

此外，Rubin平台采用多项网络技术，并融合了InfiniBand/以太网交换机，从而构建了一个高级的网络平台，旨在为用户提供更高效、更稳定的数据传输能力。到那时，全新的超级芯片将全面取代目前的Grace Hopper。

与Blackwell平台相比，新平台将首次引入8层HBM4，而Rubin Ultra将进一步支持12层HBM4，但这一切前提都是需要紧跟SK海力士的节奏。

如今，HBM内存已成为当前AI加速器的生产瓶颈， 而SK海力士的订单更是排满至明年。但从目前多方给出的信号来看，在海力士优势明显的背景下，英伟达并不会轻易将HBM订单让给三星，反倒是HBM的另一位竞争者美光，会在SK海力士产能不足情况下在未来有望承接英伟达更多订单。

不过在Rubin平台真正推出之前，三星还是有机会靠着“混合键合技术”扳回一城。

针对HBM4产品，目前有两种主流的结合方式：一个是现有成熟的“MR-MUF”（大规模回流-成部填充）先进封装工艺，另一个是三星主推的混合键合技术。

简单来说，HBM靠的是DRAM 模块之间使用一种称为“微凸块”的材料进行连接。然而通过混合键合，芯片可以在没有凸块的情况下连接，从而减小芯片的厚度。

需要注意的是，国际半导体标准化组织（JEDEC）已经将HBM4的厚度标准从上一代的720微米放宽至775微米，这就意味着在未来一段时间内，MR-MUF仍然可以用来制造HBM4，而三星想借助混合键合追赶SK海力士的想法也变得更加困难，毕竟SK海力士也会加快混合键合技术的开发速度以应对来自三星的追赶。

就目前来看，三星似乎已经是痛定思痛将在下一代HBM上抢夺回市场上的主动权，但在缺少订单和良率的前提下，英伟达还是会优先采用更加成熟的方案作为过渡。

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