原东芝存储叫板美光，称不看好3D XPoint等技术前景

动态随机存储器（DRAM）、闪存（Flash）和存储级内存（SCM）将是当前市面的三大发展方向。

继宣布将正式更名为凯侠之后，“新东芝存储”在存储领域动作也是不断，今年八月份它收购了建兴的固态硬盘业务，后来12月份就发布了Twin BiCS新技术。

最近，在今年的国际电子设备会议（IEDM）上，该公司宣布了基于Twin BiCS技术的闪存产品，并透露了即将推出的XL-Flash技术信息，同时它表示对3D XPoint之类的堆叠类存储方案的前景并不看好。

值得一提的是，3D XPoint是由Intel和美光共同开发的一种非易失性存储技术，它的存储原理与NAND或3D NAND完全不同，据说性能也是非常惊人。而凯侠此举颇有与美光公开叫板的气势。

关于原因，它指出相对于层数的每比特位成本，层数的增加会带来更高的复杂性，控制电路会损失一部分面积，产能损失的影响也更大，而相比之下，3D NAND 技术要成熟得多，市面上已大量上市90多层的产品。

对于未来的存储产品发展，凯侠在现场表示，十年内存储市场仍将继续追求存储的密度、速度和需求的平衡点，动态随机存储器（DRAM）、闪存（Flash）和存储级内存（SCM）将是当前市面的三大发展方向。

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