台积电称2020年投入先进制程约160亿美元，将在4月公布3nm工艺细节

台积电是否会在3nm工艺上继续选择FinFET，这将影响到整个行业先进制程的走势。

继三星之后，台积电也正式对外公布了其3nm工艺计划。

在刚结束不久的说法会上，台积电宣布，其2020年的开支大约会在150到160亿美元之间，其中80%将投向先进产能扩增，包括7nm、5nm及3nm。其中，关于3nm工艺的具体情况，台积电称将会在4月份的发布会上公开。

目前，业内普遍认为3nm工艺决定了未来半导体新制程的发展方向，因此半导体制造领域的巨头们最终会在3nm工艺上选择什么路线，成为业内格外关注的话题。

此前三星就宣布了3nm工艺计划，明确表示会放弃FinFET晶体管，转向GAA环绕栅极晶体管技术。具体来说，三星的3nm工艺分为3GAE、3GAP，后者的性能更好，不过首发的是第一代GAA晶体管工艺3GAE。

根据官方说法，基于全新的GAA晶体管结构，三星通过使用纳米片设备制造出了MBCFET（Multi-Bridge-Channel FET，多桥-通道场效应管），该技术可以显著增强晶体管性能；此外，MBCFET技术还能兼容现有的FinFET制造工艺的技术及设备，从而加速工艺开发及生产。

在2019年的日本SFF会议上，三星还公布了3nm工艺的具体指标，与现在的7nm工艺相比，3nm工艺可将核心面积减少45%，功耗降低50%，性能提升35%。

三星计划在2030年前投资1160亿美元打造半导体王国，由于在7nm、5nm节点上都要落后于台积电，所以三星押注3nm节点，希望在这个节点上超越台积电成为第一大晶圆代工厂，因此三星对3GAE工艺寄予厚望，最快会在2021年就要量产。

至于台积电，在3nm节点他们也大举投资，去年宣布斥资195亿美元建设3nm工厂，2020年会正式开工，不过技术细节一直没有透露，尤其是台积电是否会像三星那样选择GAA晶体管还是会继续改进FinFET晶体管，这将影响到整个行业走势。

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